ROM存储器及其制造方法

摘要

一种ROM存储器件及其制造方法。该方法包括在半导体衬底的单元区域内形成沟槽隔离结构。所述单元区域是ROM存储器件的阵列区域。该方法包括在所述单元区域内形成栅极结构，并在栅极结构上形成侧壁隔离物，所述隔离物被布置成和所述单元区域内的所述沟槽隔离结构的一部分重叠，用于将所述单元区域的被掩埋的位线区域和临近的单元区域分隔开。该方法施加难熔金属层，覆盖在包括侧壁隔离物和所述沟槽隔离结构的暴露部分的栅极结构上。还包括将所述难熔金属层熔合到所述栅极结构以及源/漏区域的暴露部分以形成覆盖在栅极结构和源/漏区域上的硅化物区域的步骤。所述难熔金属层被选择性地从侧壁隔离物和所述沟槽隔离结构的暴露部分去除。

主权项

1. 一种用于制造ROM存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底的单元区域内形成沟槽隔离结构，所述单元区域是ROM存储器件的阵列区域；在所述单元区域内形成栅极结构：在所述栅极结构上形成侧壁隔离物，所述侧壁隔离物被布置成和所述单元区域内的所述沟槽隔离结构的一部分重叠，用于将所述单元区域的被掩埋的位线区域和临近的单元区域分隔开；施加难熔金属层，覆盖在所述侧壁隔离物、所述沟槽隔离结构的暴露部分、所述栅极结构和源/漏区域的暴露部分上；将所述难熔金属层熔合到所述栅极结构以及所述源/漏区域的暴露部分以形成覆盖在所述栅极结构和所述源/漏区域上的硅化物区域；并且选择性地从所述侧壁隔离物和所述沟槽隔离结构的暴露部分去除所述难熔金属层。