| 发明名称 | 用于以高选择性刻蚀电介质阻挡层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于以相对于电介质块绝缘层的高选择性来刻蚀电介质阻挡层的方法。在一种实施例中，该方法包括：在反应器中提供衬底，衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将包含H<sub>2</sub>的气体混合物流入反应器中；以及相对于电介质块绝缘层选择性地刻蚀电介质阻挡层的暴露部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101405844A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200780010190.3 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 肖莹;格拉多·A·戴戈迪诺;卡斯特恩·施奈德 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵 飞;南 霆 |
| 主权项 | 1.一种用于刻蚀互连结构中的电介质阻挡层的方法，包括：在反应器中提供衬底，所述衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将至少包含H2的气体混合物流入所述反应器中；以及相对于所述电介质块绝缘层选择性地刻蚀所述电介质阻挡层的暴露部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||