试料之电浆蚀刻方法

摘要

〔课题〕本发明提供一种具有对于多晶矽或是硬罩之与High-K材(Al#sB!2#eB!O#sB!3#eB!等)的选择比之蚀刻方法。〔解决手段〕本发明系针对使用电浆蚀刻装置，蚀刻处理具有硬罩11的层间绝缘膜(等High-K材)14、及与层间绝缘膜相接之Poly-Si15的试料之半导体装置的制造方法，使用BCl#sB!3#eB!与He与HBr，将试料台的温度达到常温，时间调制高偏压电压并予以施加后，进行High-K材14的蚀刻处理，进一步反覆进行该处蚀刻处理及使用SiCl#sB!4#eB!与BCl#sB!3#eB!与He的附着处理。