图型之形成方法及使用于其之光阻材料

摘要

本发明系一种图型之形成方法，其特征系含有：将含有具7-氧杂降冰片烷环之重复单位与藉由酸成为可溶于硷显像液之重复单位的高分子化合物及酸产生剂的正型光阻材料涂布于基板上，形成光阻膜的步骤；加热处理后，以高能量线使上述光阻膜曝光的步骤；加热处理后使用显像液，将上述光阻膜进行显像的步骤；其后以酸及/或热使光阻膜产生交联硬化的步骤。依据本发明时，依据上述方法使用光阻材料，形成图型，在第1图型之空白部分形成第2图型，藉此进行图型与图型之间距减半之双图型化，可藉由一次乾蚀刻对基板进行加工。