在编程相邻存储单元后对过度编程的存储单元的检测

摘要

在一非易失性半导体存储系统(或其它类型的存储系统)中，是通过改变存储单元的阈电压来编程存储单元。由于在所述系统中的不同存储单元的编程速度的变化，所以将存在某些存储单元过度编程的可能性。即，在一个实例中，将使阈电压移动超过预期值或值的范围。本发明包括判定所述存储单元是否由于编程一相邻行的单元而被过度编程。

主权项

1. 一种用于检测过度编程的方法，其包含以下步骤：编程与一第一控制线相关的一个或一个以上多状态存储元件；继编程与所述第一控制线相关的所述一个或一个以上多状态存储元件的所述步骤后，编程与一第二控制线相关的一个或一个以上多状态存储元件；和在执行编程与所述第二控制线相关的所述一个或一个以上多状态存储元件的所述步骤后，通过判定所述多状态存储元件的至少一特定多状态存储元件的一阈电压，判定与所述第一控制线相关的所述一个或一个以上多状态存储元件是否过度编程。