半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。

主权项

1、一种半导体发光器件，包括以如下顺序形成的层：第一导电型第一半导体层；发射层；第二导电型第二半导体层；和第二导电型透明衬底，所述第二导电型透明衬底对来自所述发射层的光束透明，且直接结合到所述第二半导体层；其中，在相对于所述发射层的所述第一半导体层的表面上具有可连接探针的第一电极，所述透明衬底具有与所述发射层平行的在所述发射层的相对侧上的平行表面，和邻接所述平行表面且倾斜于所述平行表面的倾斜表面，并且在与所述第二半导体的结合面上，在平面图中与所述第一电极相同的位置具有界定所述发射层的发光区域的电流缩窄部。