混合金属全硅化栅

摘要

本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。

主权项

1、一种半导体器件，包括：具有PMOS区和NMOS区的半导体衬底；在所述PMOS区和NMOS区上的电介质层；在所述电介质层上的中间禁带金属层；PMOS栅电极，其中所述PMOS栅电极包括淀积在P型金属上的多晶硅区，所述P型金属淀积在所述中间禁带金属层上；和NMOS栅电极，其中所述NMOS栅电极包括淀积在所述中间禁带金属层上的多晶硅区，且所述多晶硅区为全硅化。