发明名称 Siliciumcarbid-MOS-Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号 DE19931324(B4) 申请公布日期 2009.03.26
申请号 DE19991031324 申请日期 1999.07.07
申请人 FUJI ELECTRIC CO. LTD. 发明人 UENO, KATSUNORI
分类号 H01L21/336;H01L21/04;H01L29/10;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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