| 发明名称 | 沟槽的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底上具有刻蚀停止层及介质层；在所述介质层上定义出沟槽图形；刻蚀形成沟槽；对所述衬底进行高温灰化处理；利用等离子体刻蚀方法去除所述刻蚀停止层，同时去除残留的光刻胶及聚合物的微粒。本发明的沟槽形成方法，在不增加额外的工艺步骤的情况下，不仅保持了较好的沟槽侧壁形状，还可以将残留的光刻胶及聚合物去除干净，有效地改善了器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101393842A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710046305.6 | 申请日期 | 2007.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣;沈满华 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤:提供衬底，且所述衬底上具有刻蚀停止层及介质层；在所述介质层上定义出沟槽图形；刻蚀形成沟槽；对所述衬底进行高温灰化处理；利用等离子体刻蚀方法去除所述刻蚀停止层，同时去除残留的光刻胶及聚合物的微粒。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||