发明名称 反光性多层靶结构之雷射处理
摘要 一种针对关于靶结构(10)雷射处理之干涉效应问题之解决方法,其依据堆叠于一晶圆表面或一群晶圆上多重晶圆(20)间之靶结构及钝化层(14、16)之光反射资讯,进行雷射脉冲能量或其他雷射光束参数之调整,诸如雷射脉冲时序形状。对靶连结量测结构(70)和未被连结占据之邻近钝化层区域(78)之雷射光束反射量测,使得雷射脉冲能量调整之计算在不造成晶圆损伤下达成较为一致之处理结果。对于晶圆上之薄膜裁修,雷射光束投射于薄膜结构和无薄膜存在之钝化层结构上之类似反射量测资讯,亦可以提供雷射参数选择所需之资讯以确保较佳之处理品质。
申请公布号 TW200913023 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097119115 申请日期 2008.05.23
申请人 伊雷克托科学工业股份有限公司 发明人 孙云龙;史帝夫 哈洛斯
分类号 H01L21/268(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/268(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 美国