| 发明名称 | 一种磁控溅射圆柱靶 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种磁控溅射圆柱靶，包括靶的芯铁，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁铁；所述的强磁铁和弱磁铁两边的凹槽上对应的装有强性磁铁和弱性磁铁。本实用新型通过改变磁控溅射圆柱靶两端磁场强度，减小磁铁长度，从而解决了磁控溅射圆柱靶的靶材两端溅射后出现凹槽的缺陷，使靶材的利用率提高了一倍，同时，延长了靶材更换的周期，降低了劳动强度。 | ||
| 申请公布号 | CN201206165Y | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200820003764.6 | 申请日期 | 2008.02.20 |
| 申请人 | 黄鸣 | 发明人 | 李建斌;王智建;张明贵;陈革;张好勇;隗方基;章其初 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 何文彬 |
| 主权项 | 1、一种磁控溅射圆柱靶，包括靶的芯铁，其特征在于，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁铁。 | ||
| 地址 | 253000山东省德州市德城区东风路35-5-1-501号 | ||