具有应变通道之电晶体

摘要

本发明提供一种半导体元件，像是P通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体或N通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体，其具有应变通道区域，藉由形成一闸极堆叠后，在源极区域及汲极区域形成凹进区来形成此半导体元件。接着，去除此闸极堆叠下的基板，然后，在此闸极堆叠下的源极区域及汲极区域中形成一磊晶层。在源极区域及汲极区域中之此磊晶层可被掺杂。在一实施例中，在此闸极堆叠下之磊晶层较低的部份被掺杂，其传导类型与源极区域及汲极区域之传导类型相反。在另一实施例中，此磊晶层未被掺杂。