防止存储器阵列产生位线干扰的方法

摘要

本发明公开了一种防止存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态或低电位时，则对该其它存储单元加载一栅极偏置电压。采用本发明的方法可防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰，从而提高存储器件的性能。

主权项

1.一种防止存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，其特征在于:所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态或低电位时，则对该其它存储单元加载一栅极偏置电压。