| 发明名称 | 具有势垒的隧道晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶体管(21)，包括源极(24)和漏极(29)以及定位在源极和漏极之间的势垒区(27)。势垒区用半导体材料的本征或低掺杂区(26、28)与源极和漏极隔离。在势垒区与本征或低掺杂区的界面上形成势垒。栅电极(32)设置在势垒的附近，结果使势垒的有效高度和/或宽度能通过向栅电极施加适当的电压进行调制。 | ||
| 申请公布号 | CN101375380A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200780003316.4 | 申请日期 | 2007.01.24 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 雷德弗里德勒·胡尔克斯;普拉巴特·阿加瓦尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种晶体管，包括源极(4、24)和漏极(6、29)以及位于源极(4、24)与漏极(6、29)之间的势垒区(16、27)，其中：势垒区通过半导体材料的本征或低掺杂区(26、28)与源极和漏极隔离，并在势垒区与本征或低掺杂区之间的界面处形成势垒，其中将栅电极(8、32)设置在势垒附近，使得通过向栅电极(8、32)施加适当的电压对势垒的有效高度和/或宽度进行调制。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||