用以提供采用非平面电晶体之自旋转移穿隧磁性记忆体之方法及系统

摘要

兹描述一种磁性记忆单元与一种具有该单元的磁性记忆体。该磁性记忆单元包含至少一个磁性元件与至少一个非平面选择装置。使用受驱动通过该磁性元件的写入电流可程式化该磁性元件。该磁性记忆体可包含复数个磁性储存单元、对应至该等复数个磁性储存单元的复数条位元线、以及对应至该等复数个磁性储存单元的复数条源极线。