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经营范围
发明名称
覆晶接合制程
摘要
一种覆晶接合制程,适用于将一晶片接合至一基板,此覆晶接合制程系利用一清洁元件移除该晶片所包含之至少一凸块其表面所具有之一氧化层,因此当晶片藉由该至少一凸块接触该基板并对该至少一凸块进行回焊时,由于该氧化层已经被清洁元件移除,所以可以提高晶片与基板的接合性。
申请公布号
TW200908171
申请公布日期
2009.02.16
申请号
TW096129151
申请日期
2007.08.08
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
杨朝钦;陈裕文;黄崧智
分类号
H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
花瑞铭;金玉书
主权项
地址
高雄市楠梓加工区经三路26号
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