半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，其系于一半导体基片和/或于一半导体基片之上形成一第一金属接线。再形成一膜层间绝缘质于此半导体基片与此第一金属接线和/或于此半导体基片与此第一金属接线之上，其中此膜层间绝缘质具有一金属镶嵌凹槽。之后，于第一金属接线和/或于第一金属接线之上以及于金属镶嵌凹槽之下和/或于此金属镶嵌凹槽之侧表面形成一反扩散薄膜。利用一惰性气体之电浆制程除去于此金属镶嵌凹槽之底端与此第一金属接线之相接部分的此反扩散薄膜和/或于此金属镶嵌凹槽之底端与此第一金属接线之相接部分之上的此反扩散薄膜。