发明名称 |
芯片电阻器及其制法 |
摘要 |
本发明公开了一种芯片电阻器及其制法,是通过一热熔接合层相对接合一基材与一电阻体,并利用一保护层覆盖至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区,从而排除现有技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与电阻体的接合设计则可排除现有技术使用半导体制程的高成本缺点,达到易于制造、提升制程良率与降低成本的功效。 |
申请公布号 |
CN101364462A |
申请公布日期 |
2009.02.11 |
申请号 |
CN200710140397.4 |
申请日期 |
2007.08.10 |
申请人 |
斐成企业股份有限公司 |
发明人 |
蔡荣泽 |
分类号 |
H01C17/00(2006.01);H01C7/00(2006.01);H01C3/00(2006.01) |
主分类号 |
H01C17/00(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
1.一种芯片电阻器的制法,包括:提供基材及电阻体;通过一热熔接合层相对接合该基材与该电阻体;以及覆盖一保护层至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。 |
地址 |
中国台湾高雄市 |