| 发明名称 | 从基板上清除含碳的残余物的方法 | ||
| 摘要 | 这里描述了一种用于从基板清除含碳残余物的工艺。一方面，提供一种用于从基板表面的至少一部分清除含碳残余物的工艺，包括：提供包括氧源，氟源，和任选的添加气体的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为从大约1至大约10；使用至少一种能量源激活该处理气体，从而提供反应性物质；以及使该基板表面与该反应性物质接触，从而挥发并从该表面清除含碳残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN100461344C | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200510098056.6 | 申请日期 | 2005.07.22 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | A·D·约翰逊;H·苏巴瓦拉;齐宾;R·N·维蒂斯;E·J·小卡瓦基;R·G·里德格瓦;P·J·马劳里斯;M·L·奥内尔;A·S·鲁卡斯;S·A·莫蒂卡 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种用于从基板表面的至少一部分上清除含硅和含碳残余物的方法，该方法由下述步骤构成：提供一种包括氧源、氟源和任选的添加气体的处理气体，其中该处理气体所含的氧与氟的摩尔比范围为3-6；使用至少一种能量源激活该处理气体，以提供反应性物质；和使该基板表面与该反应性物质接触，以从该表面挥发清除含硅和含碳残余物，其中所述添加气体选自N2、He、Ne、Kr、Xe、Ar及其混合物。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||