发明名称 |
半导体装置与形成栅极间隔物的方法 |
摘要 |
本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤:形成一栅极结构,该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上;形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上;形成一栅极间隔物材料层于该衬层上;定义该栅极间隔物材料层,以形成该些间隔物;形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上;部分移除该保护层,露出该衬层、该栅极结构与该些栅极间隔物的一顶部;施行一第一湿蚀刻制程,大体移除该衬层的露出部;移除该保护层;以及施行一第二湿蚀刻制程,大体移除该衬层的一底部与一顶部。本发明采用保护层保护衬层免于受到湿蚀刻制程的蚀刻。 |
申请公布号 |
CN100459075C |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200610058104.3 |
申请日期 |
2006.03.02 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
姜儒健;孙书辉;林立德 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种形成栅极间隔物的方法,其特征在于,该形成栅极间隔物的方法包括下列步骤:形成一栅极结构,该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上;形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上;形成一栅极间隔物材料层于该衬层上;蚀刻该栅极间隔物材料层,以形成栅极间隔物;形成一保护层于该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上;部分移除该保护层,露出该衬层、该栅极结构与该栅极间隔物的一顶部;施行一第一湿蚀刻制程,移除该衬层的露出部;移除残存于该半导体基底上的该保护层;以及施行一第二湿蚀刻制程,移除该衬层的一底部与一顶部。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |