薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积导电层；光学蚀刻导电层及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层以露出导电层的第一部分和第二部分；形成覆盖导电层的第一部分的像素电极；除去导电层第二部分完成由导电层组成的数据线及漏极；以及露出第二部分下部的半导体层，覆盖露出的半导体层一部分，具有露出像素电极的开口部的黑阵。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括以下步骤：用光学蚀刻方法在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积导电层；光学蚀刻所述导电层及所述半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻所述钝化层以露出所述导电层的第一部分和第二部分，并蚀刻所述栅极绝缘层的一部分；通过光学蚀刻，形成覆盖所述导电层的第一部分的像素电极；除去所述导电层第二部分完成由所述导电层组成的数据线及漏极；以及露出所述第二部分下部的所述半导体层，覆盖露出的所述半导体层一部分，形成具有露出所述像素电极的开口部的黑阵。