| 发明名称 | 制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 在半导体衬底的第一区域和第二区域上分别形成硅膜；将P型杂质选择地离子注入到第一区域中的硅膜内；实行第一次退火，以激活注入在硅膜内的P型杂质；在第一次退火之后，将N型杂质选择地离子注入到第二区域中的硅膜内；在离子注入N型杂质之后，在所述硅膜上按CVD方法形成硅化物膜；实行第二次退火，从而排出硅化物膜内所含的气体并激活N型杂质；在硅化物膜上依序形成阻挡层及金属膜；以及绘制金属膜、阻挡金属层、硅化物膜和硅膜图样，从而在第一区域中形成P型多金属栅电极和在第二区域中形成N型多金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100454517C | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200610005789.5 | 申请日期 | 2006.01.06 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 齐野敢太 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，它包括：第一步，分别在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成硅膜；第二步，将P型杂质选择地离子注入到第一区域中的硅膜内；第三步，实行第一次退火，从而激活注入在硅膜内的P型杂质；第四步，在第三步之后，将N型杂质选择地离子注入到第二区域中的硅膜内；第五步，在第四步之后，在所述硅膜上按CVD方法形成硅化物膜；第六步，在第五步之后，实行第二次退火，从而排出硅化物膜内所含的气体并激活N型杂质；第七步，在所述硅化物膜上依序形成阻挡金属层及金属膜；以及第八步，绘制金属膜、阻挡金属层、硅化物膜和硅膜图样，从而在第一区域中形成P型多金属栅电极以及在第二区域中形成N型多金属栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||