| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器可以是垂直设置的图像传感器，其中光电二极管设置于衬底上的电路之上。所述光电二极管可形成于下电极上，下电极被设置成电连接到衬底上的CMOS电路。光电二极管可具有包括位于下电极上的本征层和位于本征层上的导电类型层的PIN或PI光电二极管结构。自对准硅化物层可设置于本征层上，而导电类型传导层可设置于自对准硅化物层上。可形成本征层以产生聚光部分，从而提供凸起形上表面。本发明能够提高图像传感器的占空系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101350359A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810133687.0 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李玟炯 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1、一种图像传感器，包括：下电极，位于电连接到半导体衬底上的CMOS电路的金属互连结构上；本征层，位于所述下电极上；自对准硅化物层，位于所述本征层上；以及导电类型传导层，位于所述自对准硅化物层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||