半导体记忆元件内形成隔离膜之方法

摘要

本发明系有关于一种形成半导体记忆体装置之隔离膜的方法。依据本发明，在形成一通道氧化膜前所实施之一预处理清洗制程中，在60℃-70℃温度范围内实施一SC-1清洗制程。因此，即使在该SC-1清洗制程及一DHF清洗制程中，亦可使在一胞元区域及一周边区域中之氧化膜凹陷。因而可减少DHF清洗时间。因此，本发明具有下列优点：本发明可藉由DHF最小化一矽基板之损失，以及因而可控制一凹坑之深度。