半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕上述熔丝，上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量，避免上述能量对上述半导体装置造成损害；以及至少一保护层位于上述密封环内，并位于上述元件与上述熔丝之间，以避免上述元件曝露于上述能量下。本发明所述半导体装置，可以增加半导体基底的可用面积，并使设计于此的元件不会受到熔断熔丝工艺的影响而失效。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包含：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕该熔丝，该密封环位于该元件与该熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断该熔丝时所使用的激光光束所传递的能量，避免该能量对该半导体装置造成损害；一保护环结构垂直置于该密封环内，并包含位于该元件与该熔丝之间的一或多个金属层中的一或多个环状结构，以强化该一或多个金属层的结构强度；以及至少一保护层位于该密封环内，该保护层与该半导体基底并联、并位于该元件与该熔丝之间，以避免该元件曝露于该能量下。