| 发明名称 | 半导体装置的对准键的形成方法 | ||
| 摘要 | 通过在半导体衬底上方按顺序形成金属间介电层和覆盖层，并在对准键区域对所述金属间介电层和覆盖层进行图样化以形成对准键孔，从而形成用于半导体装置叠层测量的对准键。然后，在包括对准键孔的所述半导体衬底上方沉积金属层，然后可以抛光所沉积的金属层的最上层表面以形成具有梯级的对准键。因此，可防止在使用覆盖层进行抛光时产生的凹陷现象，而且可形成具有期望梯级的对准键。 | ||
| 申请公布号 | CN101335189A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810127809.5 | 申请日期 | 2008.06.25 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金明洙 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L23/544(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：按顺序在半导体衬底上方形成金属间介电层和覆盖层；然后通过在半导体衬底的对准键区域对所述金属间介电层和所述覆盖层进行图样化以形成对准键孔；然后在所述半导体衬底上方和所述对准键孔内形成金属层；然后通过在所述金属层的最上层表面上进行抛光处理以暴露所述覆盖层，从而形成对准键。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||