| 主权项 |
1﹒一种制造金属基地复合体之方法,系包括(a)预备一种由铝及至少约1重量%镁所构成铝合金,以及预备选自可渗透性陶瓷填充材料块体或雏体之具有至少一面由障壁机构所界定之表面之至少一种材料之过程;(b)在由约10-100体积%氮及剩余之非氧化性气体所构成之气体之存在下,使熔融状态之上述铝合金与上述至少一种材料,以使上述障壁机构至少部份与接触区域相隔之方式,与该障壁机构接触,并使上述熔融铝合金自然地渗入上述至少一种材料中而到达上述障壁机构之过程;及(c)任上述熔融铝合金固化,以形成包埋有上述至少一种材料及具有由上述障壁机构所建立之表面之固态金属基地复合体之过程者。2﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该障壁机构系在处理条件下,在实质上不致由上述熔点铝合金润湿者。3﹒一种制造金属基地复合体之方法,系包括(a)形成选自可渗透性陶瓷填充材料或雏体之具有至少一个界定面边界之至少一种材料之过程;(b)在上述界定面边界上,设置可挠性石墨带片之过程;(c)使上述至少一种材料之一个区域与由铝及至少约1重量%镁所构成之铝合金接触,并于接触时使上述可挠性石墨带片至少部份与接触区域相隔,而令熔融铝合金可以朝向上述可挠性石墨带片之方向渗入上述至少一种材料中之过程;(d)在由约10-100体积%氧及剩余之非氧化性气体所构成之气体之存在下,将上述铝合金加热于其熔点以上之温度中,而于该温度下使上述熔融铝合金自然地渗入上述至少一种材料中达于上述可挠性石墨带片,以包埋上述至少一种材料之过程;及(e)任上述熔融铝合金固化于上述至少一种材料中,以形成具有由上述可挠性石墨带片所建立之表面之金属基地复合体之过程。4﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该障壁机构系由二硼化钛所构成,而且上述铝合金系被加热至不超过约875℃之温度者。5﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该障壁机构系由碳所构成者。6﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该障壁机构系由石墨所构成者。7﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该铝合金系于至少约700℃之温度下,与上述至少一种材料接触者。8﹒依据申请专利范围第7项所述之方法,其中该温度至少约为800℃者。9﹒依据申请专利范围第8项所述之方法,其中该温度系介于约500℃-约1200℃之间者。10﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该气体系由至少50体积%之氮及剩余部份之选自氩及/或氢之至少一种气体所构成者。11﹒依据申请专利范围第10项所述之方法,其中该气体在实质上均系由氮所构成者。12﹒依据申请专利范围第11项所述之方法,其中该温度系介于约800℃-约1200℃之间者。13﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该铝合金系含有至少约3重量%之镁者。14﹒依据申请专利范围第13项所述之方法,其中该铝合金系含有至少一种额外之辅助合金元素者。15﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该至少一种材料系选自氧化物、碳化物、硼化物或氮化物者。16﹒依据申请再利范围第15项所述之方法,其中该至少一种材料系由氧化铝所构成,而且该温度约为1000℃者。17﹒依据申请专利范围第15项所述之方法,其中该至少一种材料系由碳化矽所构成,而且该温度约为1200℃者。18﹒依据申请专利范围第15项所述之方法,其中该至少一种材料系由氧化锆所构成者。19﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该至少一种材料系由二硼化钛所构成,而且该温度在实质上系超过约875℃者。20﹒依据申请专利范围第15项所述之方法,其中该至少一种材料系由氮化铝所构成者。21﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该氮化铝系在铝基地中以不连续相形成者。22﹒依据申请专利范围第1项或第3项所述之方法,其中该至少一种材料系由具有陶瓷覆层之填充材料基材所构成,而且该覆层系选自氧化物、碳化物、硼化物或氮化物者。 |
