| 摘要 |
<p>La presente invención se refiere a un método mejorado para formar un miembro semiconductor, cuyo método incluye: proveer un substrato y una fuente de energía de microondas; proporcionar un recipiente de reacción substancialmente cerrado y colocar el substrato en el mismo; introducir cuando menos, un gas de reacción en el recipiente de reacción, incluyendo, cuando menos un elemento semiconductor por depositarse; ocasionar una presión operativa de aproximadamente una proporción de magnitud inferior a una presión depositante convencional mediante radiofrecuencia; acoplar la energía de microondas hacia el interior del recipiente de reacción para formar un plasma de dicho gas de reacción, incluyendo la formación de especies depositantes principalmente radicales libres, del elemento semiconductor y la formación de iones moleculares del elemento semiconductor; caracterizado por: depositar un miembro de aleación semiconductora sobre el substrato en forma de especies depositantes al tiempo que se controla el potencial aplicado al plasma para modificar el bombardeo iónico de las especies depositantes, cuyo control del potencial aplicado al plasma incluye la aplicación de una polarización eléctrica exterior al substrato y en que dicha polarización eléctrica exterior es independiente con respecto al substrato.</p> |
