发明名称 | 单晶钻石膜之制造方法 | ||
摘要 | 一种单晶钻石膜之制造方法,首先系提供复数个单晶钻石,并排列形成单晶钻石阵列,接着于单晶钻石阵列上沉积形成一单晶钻石膜,其中可于单晶钻石阵列形成后进行一离子植入处理,或是于沉积形成单晶钻石膜后,对单晶钻石膜进行离子植入处理,以破坏单晶钻石阵列及单晶钻石膜表面之原子层,最后对具有单晶钻石膜之单晶钻石阵列进行热处理,以使单晶钻石膜脱离于单晶钻石阵列。 | ||
申请公布号 | TW200825219 | 申请公布日期 | 2008.06.16 |
申请号 | TW095147266 | 申请日期 | 2006.12.15 |
申请人 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 发明人 | 刘彦冈;谢荣哲 |
分类号 | C30B25/00(2006.01) | 主分类号 | C30B25/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许世正 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市中正区延平南路10号 |