发明名称 单晶钻石膜之制造方法
摘要 一种单晶钻石膜之制造方法,首先系提供复数个单晶钻石,并排列形成单晶钻石阵列,接着于单晶钻石阵列上沉积形成一单晶钻石膜,其中可于单晶钻石阵列形成后进行一离子植入处理,或是于沉积形成单晶钻石膜后,对单晶钻石膜进行离子植入处理,以破坏单晶钻石阵列及单晶钻石膜表面之原子层,最后对具有单晶钻石膜之单晶钻石阵列进行热处理,以使单晶钻石膜脱离于单晶钻石阵列。
申请公布号 TW200825219 申请公布日期 2008.06.16
申请号 TW095147266 申请日期 2006.12.15
申请人 中国砂轮企业股份有限公司 发明人 刘彦冈;谢荣哲
分类号 C30B25/00(2006.01) 主分类号 C30B25/00(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 台北市中正区延平南路10号