半导体晶片、半导体结构及其形成方法

摘要

一种形成双闸极结构的方法，在一第一基底上形成一厚度小于30nm的埋层绝缘层；在埋层绝缘层上形成一第二基底；在第二基底上形成一垫层；在垫层上形成一遮罩层；形成一第一沟槽，延伸穿过垫层、第二基底、埋层绝缘层至第一基底中；以一绝缘材料将第一沟槽填满；以一导电材料将绝缘材料中的第二沟槽填满；在第二基底上形成一MOS电晶体。在埋层绝缘层下形成一底部闸极，且自对准于形成在第二基底上的顶部闸极。