| 发明名称 | 清洗半导体晶片后段方法 | ||
| 摘要 | 本发明系为一种清洗半导体晶片后段方法。在半导体晶片后段的金属连接层与介电层孔洞蚀刻过程中,多会产生残留物(residue)影响制程或元件特性,用技术上是以有机溶液进行清洗,但此类有机溶液多对人体及环境造成威胁。本发明提出一种改良之稀释水溶液清洗方法取代用技术之有机溶液清洗方法,增加操作可行性,并降低成本与危害。 | ||
| 申请公布号 | TWI298902 | 申请公布日期 | 2008.07.11 |
| 申请号 | TW091114453 | 申请日期 | 2002.06.28 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 郑春发;刘岳良 |
| 分类号 | H01L21/027(200601AFI20080520VHTW) | 主分类号 | H01L21/027(200601AFI20080520VHTW) |
| 代理机构 | 代理人 | 俞昌玮 台北市大安区忠孝东路4段169号10楼之1 | |
| 主权项 | 1.一种清洗半导体晶片后段方法,该半导体晶片经 一金属连接光阻层显影将图形转移至一金属连接 层;依所转移之图形使用电浆蚀刻法蚀刻该金属连 接层;以电浆灰化去除一显影后金属连接光阻层; 其中金属连接层蚀刻后清洗的方法包括: 以硫酸(H2SO4):双氧水(H2O2):水(H2O)之溶液体积比例 为5(2):2.5(0.5):39.5之清洗溶液,对该蚀刻后金属连 接层进行1.5-2.5分钟、温度35℃-50℃的清洗,以清除 一金属连接层残留物。 2.如申请专利范围第1项所述之清洗半导体晶片后 段方法,其中该电浆蚀刻法之电浆为一以氯化物电 浆。 3.一种清洗半导体晶片后段方法,该半导体晶片经 一金属连接光阻层显影将图形转移至一介电层;依 所转移之图形使用电浆蚀刻法蚀刻该介电层;以电 浆灰化去除一显影后介电层;其仲介电层孔洞蚀刻 后清洗的方法包括: 以硫酸(H2SO4):双氧水(H2O2):水(H2O)之溶液体积比例 为5(2):2.5(0.5):39.5之清洗溶液,对该蚀刻后介电层 进行1.5-2.5分钟、温度35℃-50℃的清洗,以清除一介 电层残留物。 4.如申请专利范围第3项所述之清洗半导体晶片后 段方法,其中该电浆蚀刻法之该电浆为一氟化物电 浆。 图式简单说明: 第1A图系为本发明金属连接层清洗第一示意图; 第1B图系为本发明金属连接层显影后清洗第二示 意图; 第1C图系为本发明金属连接层蚀刻后清洗第三示 意图; 第1D图系为本发明金属连接层蚀刻后清洗第四示 意图; 第1E图系为本发明金属连接层蚀刻后清洗第五示 意图; 第2A图系为本发明介电层孔洞清洗第一示意图; 第2B图系为本发明介电层孔洞显影后清洗第二示 意图; 第2C图系为本发明介电层孔洞蚀刻后清洗第三示 意图; 第2D图系为本发明介电层孔洞蚀刻后清洗第四示 意图; 第2E图系为本发明介电层孔洞蚀刻后清洗第五示 意图 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||