发明名称 制作无隔绝排除区磊晶用构造之方法
摘要 本发明系相关于制作磊晶用复合构造之方法,其包含在一支持底材上之至少一结晶生长种子层,支持底材及结晶生长种子层两者在其黏结面之边缘皆有一去角或一边缘圆滑区。该方法包含将结晶生长种子层直接晶圆黏结至支持底材的至少一步骤,以及至少一个薄化结晶生长种子层的步骤,该结晶生长种子层在薄化之后具有与其初始直径相同的直径。
申请公布号 TW200849337 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097114027 申请日期 2008.04.17
申请人 S O I 科技矽公司 发明人 齐南特 奥那;法伯利斯 乐特里
分类号 H01L21/20(2006.01);H01L21/8258(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 陈慧玲
主权项
地址 法国