发明名称 蚀刻方法及该方法所用之蚀刻组成物
摘要 在以磷类化合物蚀刻氮化矽时,若进行蚀刻一段长时间,会倾向于沉淀出氧化矽,且不可能持续地实施长时间期的蚀刻。藉由使用包含磷化合物、硼化合物、矽化合物及/或彼等的氟化物之组成物对氮化矽的蚀刻方法,即使使用该组成物长时间也没有氧化矽的沉淀。特佳者为进一步添加硝酸及/或硝酸盐,从而增加选择率的稳定性。
申请公布号 TW200849371 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097106654 申请日期 2008.02.26
申请人 东曹股份有限公司 发明人 原靖;下野哲数;高桥史治
分类号 H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本