图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其制造方法。像素区域和外围电路区域在半导体衬底上具有阶梯差。互补金属氧化物半导体(CMOS)电路设置于所述像素区域上，并且层间介电层设置于所述像素区域和所述外围电路区域上。光电二极管这样设置于所述像素区域的层间介电层上，以使所述光电二极管的顶部、或者所述光电二极管的本征层顶部，与所述外围电路区域的层间介电层的顶部基本齐平。本发明可以在半导体衬底上形成具有PIN结构的光电二极管，并将晶体管电路和光电二极管垂直集成，因此，填充系数接近100％。在相同的像素尺寸下，本发明可以提供比现有技术更高的灵敏度。

主权项

1、一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有像素区域和外围电路区域，其中所述外围电路区域的半导体衬底的上表面高于所述像素区域的半导体衬底的上表面；互补金属氧化物半导体电路，位于所述像素区域中的半导体衬底上；层间介电层，位于所述像素区域和所述外围电路区域中的半导体衬底上；光电二极管，位于所述像素区域的层间介电层上；其中所述光电二极管包括本征层，并且其中所述光电二极管的上表面或所述光电二极管的本征层的上表面与所述外围电路区域的层间介电层的上表面基本齐平。