| 发明名称 | 化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表面上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤(S10)、第一抛光步骤(S20)和第二抛光步骤(S30)。在制备步骤(S10)中，制备化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)之后的第二抛光步骤(S30)中，利用包含无机增效剂pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101314211A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
| 申请号 | CN200710162471.2 | 申请日期 | 2007.10.15 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 目崎义雄;西浦隆幸;中山雅博 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01);C09G1/04(2006.01) | 主分类号 | B24B29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体衬底抛光方法，包括：制备步骤，制备化合物半导体衬底；第一抛光步骤，在该化合物半导体衬底上利用含氯抛光剂进行抛光；和第二抛光步骤，在第一抛光步骤之后，在该化合物半导体衬底上利用包含无机增效剂且pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||