高压驱动集成电路的制造工艺

摘要

本发明涉及一种高压驱动集成电路的制造工艺。该工艺包括衬底材料选择、形成P型埋层、外延的生长、P－区域和P阱区域的形成、P+环的形成、第一层多晶的区域选择、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择、第二层多晶与铝线之间介质的选择等步骤，其特点是在P－区域和P阱区域的形成之前，对感光底层添加一个热氧化工艺步骤，即以炉管湿氧方式形成热氧化物，且成长温度为950+/－5℃，成长时间为30min－120min。该方案避免了边缘芯片所存在的引发故障可能性，有效阻止了其向最终面板的使用者来传递故障，从而避免了面板组装厂芯片在驱动器的区域返回使用过程中有可能出现数据丢失等问题。

主权项

1、高压驱动集成电路的制造工艺，包括以下步骤：第一、衬底材料选择步骤；第二、形成P型埋层步骤，即在衬底材料形成氧化层，形成P型埋层的区域；第三、外延的生长步骤，漂光二氧化硅后，生长外延层；第四、P-区域和P阱区域的形成步骤，生长氧化层经光刻构图；第五、P+环的形成步骤，P阱推进后，进行P环区域的光刻；第六、第一层多晶的区域的选择步骤，在P环推进后，淀积多晶硅且磷注入，经光刻和刻蚀形成；第七、第一层多晶与第二层多晶之间介质层的选择步骤，第一层多晶刻蚀后，再淀积氧化层，形成栅氧化；第八、第二层多晶与铝线之间介质的选择步骤，淀积第二层多晶，分别进行P+区域、N+区域、接触孔区域的构图形成，其特征在于：第四步骤前对感光底层添加一个热氧化工艺步骤，即以炉管湿氧方式形成热氧化物，且成长温度为950+/-5℃，成长时间为30min-120min。