一种多孔硅片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多孔硅片及其制备方法(Silicon on Porous-silicon，SOP)。本发明所提供的多孔硅片，包括位于正面的硅层和与硅层一体成型的多孔硅层。本发明利用多孔硅电化学加工技术在硅衬底上生长多孔硅能够有效提高衬底电阻率，从而非常适合制备低损耗的射频有源无源器件、微波传输线及射频集成电路等等，所预制而得的新型高品质高阻硅片，能够有效提高电路、器件等各方面性能，而且这种新型硅片解决方案成本低廉，工艺简单，不影响后续电路器件制备，与标准微电子工艺完全兼容。

主权项

1、一种多孔硅片，包括位于所述多孔硅片正面的硅层和与硅层一体成型的位于所述多孔硅片背面的多孔硅层；该多孔硅片是由包括如下步骤的方法制成的：1)将硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，构成阳极氧化的反应结构；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混合溶液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混合溶液；2)在靠近阴极一侧的所述硅片背面贴有一层网状膜，所述网状膜上开有多个小孔，所述网状膜由抗氢氟酸腐蚀的材料制成；或者，在所述硅片靠近阴极的一侧先沉积一层Si3N4层，并经光刻、刻蚀形成一系列方形孔；所述小孔或所述方形孔的孔径为5～1000μm，孔间间隙为1～100μm；3)接通电极，加上恒定电流，进行阳极氧化反应，在硅片上形成一多孔硅层，得到所述多孔硅片；所述电流的电流密度为5mA/cm2～100mA/cm2。