发明名称 |
等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体处理装置,包括:处理室(10)、设置在处理室(10)内且相互对峙着设置的第一电极部(5)和第二电极部(11)、设置在第一电极部(5)的靠近第二电极部(11)的一侧且保护第一电极部(5)的石英板(13),借助在第一电极部(5)和第二电极部(11)之间产生等离子体,激发处理室(10)内的反应气体,来对设置在第二电极部(11)的靠近第一电极部(5)一侧的被处理物进行等离子体处理。石英板(13)的靠近第二电极部(11)一侧的表面形成为粗糙面。 |
申请公布号 |
CN100440452C |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200580019172.2 |
申请日期 |
2005.06.10 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
菅田胜;井谷晶;矶部昭仁;正村谦一 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);C23C16/509(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、一种等离子体处理装置,包括:处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板,借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体,激发所述处理室内的反应气体,来对设置在所述第二电极部靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理,其特征在于,所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面,所述第一电极部包括:由导电材料制成的上部电极和设置在该上部电极和所述保护板之间并由陶瓷形成的介电体。 |
地址 |
日本大阪府 |