双位元快闪记忆体胞结构及其制造方法

摘要

一种双位元存取快闪记忆体胞结构，包含有一半导体基底；一闸极氧化层，设于该半导体基底上；一闸极，设于该闸极氧化层上；一侧壁子结构，包含有电荷储存层，设于该闸极的一侧，及侧壁子，设于该电荷储存层正上方；一绝缘层，设于该闸极与该侧壁子结构之间；一衬垫层，设于该电荷储存层与该半导体基底之间；一汲极/源极掺杂区，设于该侧壁子结构一侧的该半导体基底内。