发明名称 | 高散热记忆体模组结构 | ||
摘要 | 一种高散热记忆体模组结构,系将镶嵌于一记忆体模组板上之半导体元件中晶片之表平面暴露于空气中。亦可进一步在一般记忆体模组板上将半导体元件进行涂底胶(underfill)或封模后,以研磨之方式直至该半导体元件中晶片之表平面完全暴露于空气中,以增进该记忆体模组之散热特性。此外,亦可利用一热介面物质(Thermal Interface Material,TIM)将一散热片紧密粘着在表平面暴露之晶片上,达到更可强化整个记忆体模组之散热功能。因此,本发明在改善该记忆体模组之散热性同时,亦可使整个制程上具有方便性与经济性之效益。 | ||
申请公布号 | TW200846880 | 申请公布日期 | 2008.12.01 |
申请号 | TW096117666 | 申请日期 | 2007.05.17 |
申请人 | 钰桥半导体股份有限公司 | 发明人 | 林文强;潘伟光;王家忠 |
分类号 | G06F1/20(2006.01) | 主分类号 | G06F1/20(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 欧奉璋 | |
主权项 | |||
地址 | 台北市松山区延寿街10号 |