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发明名称 Method for fabricating a semiconductor device having different gate oxide layers
摘要
申请公布号 EP0966036(B1) 申请公布日期 2008.11.26
申请号 EP19990304134 申请日期 1999.05.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YANG, WON-SUK;KIM, KI-NAM;SIM, JAI-HOON;LEE, JAE-KYU
分类号 H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/108 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
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