| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 提供一种不产生向GaN衬底进行光渗出、以及发生n型覆盖层的破裂或位错的问题，且垂直方向的FFP(远场图样)全半高宽较小的半导体发光元件。具有在n型覆盖层(3)和p型覆盖层(10)之间夹持了活性层(6)的结构的半导体发光元件中，使用Al组成比x为0.01≤x＜0.06的Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(AlGaN)层作为n型覆盖层。当Al组成比x小于0.06时，由于AlGaN层的折射率变大，所以可以使垂直方向的NFP(近场图样)变宽，使垂直方向的FFP的全半高宽减小。此外，当Al组成比变小时，由于与GaN衬底的晶格不匹配变小，所以可以不产生破裂和位错问题而厚厚地形成AlGaN层，并可以抑制向GaN衬底的光渗出。 | ||
| 申请公布号 | CN100435364C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200510131574.3 | 申请日期 | 2005.11.07 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藏本恭介 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，具有在n型覆盖层和p型覆盖层之间夹持了活性层的结构、且使用氮化物系III-V族化合物半导体，其特征在于：所述n型覆盖层包括Al组成比x为001≤x＜006的单层的n型AlxGa1-xN层，所述n型覆盖层还包括Al组成比x大于所述n型AlxGa1-xN层、并且不与所述n型AlxGa1-xN层构成超晶格结构的部分n型AlGaN覆盖层，所述部分n型AlGaN覆盖层配置在所述n型覆盖层的下部或中间部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||