发明名称 利用一双重图案化方法之装置制造方法
摘要 一种使用一多重曝光图案化方法来制造一半导体元件之方法,该方法具有下列步骤:a)提供一具有抗反射涂层或底涂层之经涂覆之半导体基材,b)于一第一涂覆步骤中,将一第一感光组成物施用于该经涂覆之半导体基材上来制造一双层堆叠体,c)于一第一曝光步骤光,将该双层堆叠体中之该第一感光组成物以全影像方式曝光于光化辐射来制造一第一图案,d)于一水性硷显影剂中显影该经曝光之第一感光组成物,来制造含有凸纹影像之一经成像之双层堆叠体,e)一以视需要可含有界面活性剂之水性液体清洗含有该凸纹影像之经成像之双层堆叠体,f)施用一固定剂溶液至该经成像之双层堆叠体来安定(固定)该凸纹影像,g)施加一任选之烤乾步骤,h)以视需要可含有界面活性剂之一液体,清洗含有该经安定化之影像之经成像之双层堆叠体,i)施用之第二任选的烤乾步骤,j)于一第二涂覆步骤中,施用一第二感光组成物至该经成像之双层堆叠体上来制造一多层堆叠体,k)于一第二曝光步骤中,将于该多层堆叠体中之该第二感光组成物以全影像方式曝光于光化辐射,来制造一第二图案,其中该第二图案系偏离该第一图案达预定量,l)于水性硷显影剂中,显影该经曝光之第二感光组成物,来制造含有一第二凸纹影像之一经成像之多层堆叠体,以及m)以视需要可含有界面活性剂之水性液体,清洗含有该第二凸纹影像之该经成像之多层堆叠体;其中该第一感光组成物及该第二感光组成物各自包含一光酸产生剂及一实质水性硷不溶性聚合物,当以酸处理时该实质水性硷不溶性聚合物之水性硷溶解度增高;以及进一步包含一定锚基团,以及该固定剂溶液包含可与该定锚基团反应之一多官能固定剂化合物,但不含矽;以及其中至少由该第一涂覆步骤至少直至该最末曝光之后,该半导体基材系维持于一光刻术单元内部。
申请公布号 TW200845203 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW096146509 申请日期 2007.12.06
申请人 富士软片电子材料美国股份有限公司 发明人 巴洛罗威 达弗;萨鲁比 汤玛斯R;马立克 圣杰伊;斯帕塞诺 乔治
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L21/312(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国