| 发明名称 | 移除基底上之绝缘层的方法 | ||
| 摘要 | 一种移除基底上之绝缘层的方法，包括对绝缘层进行第一化学机械研磨制程及后续之第二化学机械研磨制程，其中第一化学机械研磨制程所使用之研浆与第二化学机械研磨制程所使用之研浆的pH值相等且大于7。第一第二化学机械研磨制程之间更包括一清除步骤，以除去会导致有害微粒产生的特定物质。 | ||
| 申请公布号 | TW200845164 | 申请公布日期 | 2008.11.16 |
| 申请号 | TW096116123 | 申请日期 | 2007.05.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吕战;蔡腾群;李志岳;杨凯钧;黄建中;陈佳禧;吴姿慧 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||