用于相变化随机存取记忆体之相同关键尺寸的孔洞

摘要

本发明系提供一种记忆体单元及其制造方法，其包含沉积于基材上的绝缘材料，形成于该绝缘材料中的下电极，沉积于该下电极上的复数个绝缘层，且该些绝缘层之至少其中之一系作为一中间绝缘层。于该些绝缘层中的中间绝缘层上定义出一介层窗。形成一通道，以利用牺牲间隙壁蚀刻。于中间绝缘层中，定义一孔洞。中间绝缘层上所有的绝缘层则被移除，且留下的孔洞则以相变化材料整个填满。一上电极则形成于相变化材料上。