用于半导体模块中的热耗散的方法和装置

摘要

本发明提供了一种用于耗散半导体器件芯片中的热量的结构和方法。介电材料(例如聚酰亚胺)的第一层形成在散热器(一般是Si)的前面上。形成通过所述第一层的多个开孔；所述开孔被填充金属(一般是铜)，从而形成通过第一层延伸的金属柱。在器件芯片的背面上形成第二金属层。然后在键合处理中键合第一层和第二层从而形成键合层，其中所述金属柱接触所述第二层。因而所述键合层提供从芯片到散热器的导热通路。

主权项

1.一种用于提供半导体器件芯片的热耗散的方法，所述器件芯片具有在其附近形成生热元件的前面并具有背面，所述方法包括以下步骤：提供散热器；在所述芯片的背面上形成第一金属的第一层；在所述散热器的前面上形成所述第一金属的第二层；在所述第一层和第二层的至少一个上形成和所述第一金属不同的第二金属的第三层；以及在键合处理中键合所述第一层、第二层和第三层，其中所述第三层在所述第一层和所述第二层之间，从而形成包括所述第一金属和第二金属的合金的键合层，所述键合层提供从芯片到散热器的导热通路，其具有范围为1.0W/cm℃到4W/cm℃的热导。