发明名称 可降低频率偶合效应的移位缓存器及移位缓存器单元
摘要 本发明公开了一种可降低频率偶合效应的移位缓存器及移位缓存器单元,其中每一级移位缓存器单元包括:至少一提升驱动模块、一提升模块、至少一下拉模块及至少一下拉驱动模块,其中当提升模块使用的第一频率信号波形或第二频率信号波形形成上升边缘时,该下拉驱动模块已先依据第一周期信号,导通下拉模块一段特定时间,及/或当提升模块使用的第一频率信号波形或第二频率信号波形形成下降边缘时,该下拉驱动模块已先依据第二周期信号,关闭下拉模块的导通一段特定时间,藉此当时该频率信号的偶合效应出现时,该下拉模块本身即具有足够的能力抵抗,进而改善移位缓存器单元的输出波形。
申请公布号 CN101303896A 申请公布日期 2008.11.12
申请号 CN200810126658.1 申请日期 2008.06.17
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 蔡宗廷;赖明升;陈勇志;刘柏源
分类号 G11C19/00(2006.01);G11C19/28(2006.01);G09G3/36(2006.01) 主分类号 G11C19/00(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1、一种移位缓存器,具有多极移位缓存单元,其特征在于,每一级移位缓存器包括:至少一提升驱动模块,用于依据一脉冲信号,提供一驱动信号;一提升模块,其受该驱动信号触发而导通时,基于一第一信号与一第二信号两者其中之一,输出一输出信号;至少一下拉模块,提供一第一电源电压至提升模块;以及至少一下拉驱动模块,在该第一信号波形或第二信号波形形成上升边缘或下降边缘两者其中之一时,已依据一第三信号或一第四信号,先触发下拉模块一段特定时间。
地址 台湾省新竹