发明名称 |
光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法,属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上,衬底(3)的对面或侧壁上,设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为:1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统,打开光源控制电源(4),使光源点亮,调节控制电源的功率,使衬底到达700-900℃,高温处理20-40分钟,再在400-500℃下,氧等离子体处理20-40分钟;2.在400-500℃下,生长1-4nm的MgO层;3.在700-800℃下,退火处理10-30分钟;4.在350-450℃下,生长10-30nm的ZnO过渡层;5.在700-900℃下,氧等离子体气氛下退火10-30分钟;6.在600-700℃下,生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度,改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。 |
申请公布号 |
CN100431101C |
申请公布日期 |
2008.11.05 |
申请号 |
CN200710099109.5 |
申请日期 |
2007.05.11 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
张希清;刘凤娟;孙建;黄海琴;姚志刚;王永生 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01);C30B23/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.光辅助分子束外延系统,其特征在于,在生长室(1)上,衬底(3)的对面或侧壁上,设置照射衬底(3)的光源(5),光线照射生长面,其发光波长从红外到紫外。 |
地址 |
100044北京市海淀区西直门外上园村3号 |