| 发明名称 | 一种氧化物铁电存储单元及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物铁电存储单元，用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ir(Pt)阻挡层，通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。这种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成，对La-Sr-Co-O/Pb(Zr<SUB>x</SUB>Ti<SUB>1-x</SUB>)O<SUB>3</SUB>/La-Sr-Co-O铁电电容器进行极化强度、疲劳等铁电性能研究，得到了非常理想的物理性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100431157C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200610012370.2 | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 河北大学 | 发明人 | 刘保亭;李锋;程春生;赵庆勋;闫正 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C23C14/35(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人 | 王琪;周大伟 |
| 主权项 | 1、一种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在抛光的单晶硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成。 | ||
| 地址 | 071002河北省保定市五四东路180号 | ||