| 发明名称 | 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将金属掩膜的图形转移到衬底；步骤4：采用湿法腐蚀的方法，去掉残余的金属掩膜，并将衬底清洗干净，制备完成图形衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101295636A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710098702.8 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张扬;闫发旺;高海永;曾一平;王国宏;张会肖;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上淀积一层金属薄层；步骤2：进行退火处理，使金属薄层自组织形成无定形的、微米尺度的金属掩膜的图形；步骤3：进行干法刻蚀，将金属掩膜的图形转移到衬底；步骤4：采用湿法腐蚀的方法，去掉残余的金属掩膜，并将衬底清洗干净，制备完成图形衬底。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||